מספר מוצר של יצרן:
TSM4NB60CP ROG
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM4NB60CP ROG-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
9 יחידות חדשות מק originales במלאי
12897596
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM4NB60CP ROG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
TSM4NB60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM4NB60CPROGCT
TSM4NB60CP ROGTR-DG
TSM4NB60CP ROGDKR
TSM4NB60CPROGDKR
TSM4NB60CP ROGTR
TSM4NB60CP ROGCT-DG
TSM4NB60CP ROGCT
TSM4NB60CP ROGDKR-DG
TSM4NB60CPROGTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM2301CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
TSM045NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
TSM150P04LCS RLG
MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
